은 및 Ⅲ족 원소에 의해 코-도핑된 나노선, 그 제조 장치 및 방법

Title
은 및 Ⅲ족 원소에 의해 코-도핑된 나노선, 그 제조 장치 및 방법
Authors
이상렬송용원김경원
Issue Date
2009-06-08
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
실시예들은 나노선, 그 제조 장치 및 방법에 관한 것이다. 나노선은 은 및 III족 원소에 의하여 도핑된 산화아연으로 이루어질 수 있다. 나노선 제조 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 위치하는 기판; 상기 챔버 내에 상기 기판과 인접하여 위치하며 은 및 III족 원소에 의해 도핑된 타겟 물질; 상기 챔버를 가열하는 가열기; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하는 레이저 발생기를 포함할 수 있다. 나노선 제조 방법은, 챔버 내에 은 및 III족 원소에 의해 도핑된 타겟 물질 및 기판을 서로 인접하여 위치시키는 단계; 상기 챔버를 가열하는 단계; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여, 상기 기판상에 상기 타겟 물질로 이루어진 나노선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
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KIST Patent > 2009
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