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dc.contributor.author양민규-
dc.contributor.author이전국-
dc.date.accessioned2015-12-04T08:26:36Z-
dc.date.available2015-12-04T08:26:36Z-
dc.date.issued20090206-
dc.identifier.other1020090009942-
dc.identifier.urihttp://kpat.kipris.or.kr/kpat/biblioa.do?method=biblioFrame&applno=1020090009942en_US
dc.identifier.urihttp://pubs.kist.re.kr/handle/201004/52806-
dc.description.abstract본 발명은 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물의 제조 방법에 관한 것으로서, 기판 위에 하부 전극을 형성하는 공정과-
dc.description.abstract상기 하부 전극 위에 다층의 바이너리 금속 산화물 박막을 형성하는 공정과-
dc.description.abstract상기 다층의 바이너리 금속 산화물 박막 위에 상부 전극을 형성하는 공정-
dc.description.abstract을 포함하여 이루어지며, 상기 다층의 바이너리 금속 산화물 박막 및 상기 상부 전극의 형성 공정은 상기 기판의 온도를 상온으로 유지하면서 상압보다 낮은 저압 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물의 제조 방법을 제공한다.-
dc.languageKO-
dc.publisher한국과학기술연구원-
dc.title높은 소자 수율을 나타내는 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물의 제조 방법-
dc.typePatent-
Appears in Collections:
KIST Patent > 2009
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