자발 형성 반-양자구조물의 제조 방법

Title
자발 형성 반-양자구조물의 제조 방법
Authors
송진동이정일임주영최원준한석희
Issue Date
2009-02-11
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 1×10-9 torr이하의 초진공상태에서 반도체 기판상에 금속 및 비금속 원소를 주입하여, 기판의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 갖는 반-양자구조물을 자발 형성하는 방법을 개시한다. 본 발명에 의하면, 기존의 양자구조와 전기적 특성을 반대로 하는 반-양자구조물을 별도의 식각공정 없이 자발 형성할 수 있으므로, 반-양자구조물의 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한 기판의 온도와 비금속 원소의 주입량을 변화시킴으로써, 반-양자구조물의 크기 및 형태와 밀도를 용이하게 조절할 수 있다. 따라서, 다양한 전기특성을 갖는 반-양자구조물을 제공할 수 있다.
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KIST Patent > 2009
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