이중 전하 공급층 구조를 이용한 스핀 트랜지스터

Title
이중 전하 공급층 구조를 이용한 스핀 트랜지스터
Authors
구현철김경호김형준장준연한석희
Issue Date
2008-10-02
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 게이트 전압에 따라 채널 내의 전위 기울기를 음과 양의 값으로 용이하게 조절할 수 있는 스핀 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 스핀 트랜지스터는, 2차원 전자가스 구조의 채널층과 상기 채널층의 상하에 각각 배치된 상부 클래딩층 및 하부 클래딩층을 갖는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되어 상기 채널층의 길이 방향으로 서로 이격 배치된 강자성체 소스 및 드레인; 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 제어하도록 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극; 상기 하부 클래딩층과 채널층 사이에 배치되어 상기 채널층에 캐리어(carrier)를 공급하는 제1 전하 공급층; 및 상기 상부 클래딩층과 채널층 사이에 배치되어 상기 채널층에 캐리어를 공급하는 제2 전하 공급층; 을 포함한다.
URI
Go to Link
Appears in Collections:
KIST Patent > 2008
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE