기울어진 마이크로 기둥 배열이 형성된 고분자 및 이를위한 제작 방법

Title
기울어진 마이크로 기둥 배열이 형성된 고분자 및 이를위한 제작 방법
Authors
김호영문명운이광렬차태곤
Issue Date
2008-10-16
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 기울어진 마이크로 기둥 배열이 형성된 고분자 및 이를 위한 제작 방법에 관한 것으로, 이온빔 처리의 입사각을 조절하여 기울어진 마이크로 기둥 배열을 제작함으로써, 드라이 셀프 클리닝(dry self-cleaning)을 가진 접합재료, 벽을 기어오를 수 있는 마이크로 로봇 제작, 반도체 라인에서의 웨이퍼 정렬기(wafer aligner) 등의 제작 등에 응용 가능하다. 또한, 본 발명은 에너지 소모량을 적게 사용할 수 있는 PECVD 방식을 이용한 이온빔 처리를 통하여, 기울어진 마이크로 기둥 배열을 갖는 고분자 표면을 형성할 수 있고, 이온빔 처리의 입사각, 조사 시간, 가속 전압의 크기 중 적어도 하나를 조절하여 마이크로 기둥의 기울어진 각도를 원하는 각으로 조절 가능하다.
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KIST Patent > 2008
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