다중채널 FET 소자 및 그 제조방법

Title
다중채널 FET 소자 및 그 제조방법
Authors
김선호김수현변영태이석
Issue Date
2008-08-28
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 나노구조 물질을 이용한 다중채널 FET 소자 및 대량생산이 가능한 다중채널 FET 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 높은 전자의 이동 속도를 유지하면서 소자의 출력 전류의 양을 높일 수 있는 다중채널의 전계효과 트랜지스터(Field effect transistor; FET)의 구조와, 고체 산화물 표면의 특정 위치에 나노구조 물질(nanotube, nanowire 등)을 선택적으로 정렬하는 방법을 이용하여 다중채널 FET 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 임의 기판 위에 형성된 유전체 절연박막과; 상기 절연박막 위에 형성된 백-게이트 전극과; 상기 백-게이트 전극을 노출시키며 절연박막상에 증착되는 유전체 박막과; 상기 유전체 박막위에 나노물질이 조립된 2열 이상의 다중채널과; 상기 다중채널의 위쪽과 아래쪽에 형성되는 상하 대칭의 드레인 전극과; 상기 다중채널의 일측쪽에 형성되는 소오스 전극; 을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 다중채널 FET 소자를 제공한다. 또한, 본 발명은 임의 기판 위에 유전체 절연박막이 형성되는 단계; 상기 절연박막 위에 백-게이트 전극이 형성되는 단계; 상기 백-게이트 전극위에 유전체 박막이 증착되는 단계; 상기 유전체 박막위에 다중채널 패턴이 제조되는 단계; 상기 다중채널을 구성하는 각 단위채널 패턴내에 나노물질을 조립하는 단계; 상기 나노물질이 조립된 다중채널 위에 소오스 전극 및 드레인 전극이 형성되는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중채널 FET 소자의 제조 방법을 제공한다.
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KIST Patent > 2008
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