개선된 스핀 주입 효율을 갖는 스핀 트랜지스터

Title
개선된 스핀 주입 효율을 갖는 스핀 트랜지스터
Authors
구현철김형준송진동심성훈장준연한석희
Issue Date
2008-09-05
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 강자성체로부터 반도체로의 스핀 주입 효율이 높은 스핀 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스핀 트랜지스터는, 내부에 채널층이 형성된 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 채널층으로 스핀분극된 전자를 주입하는 강자성체 소스; 상기 소스로부터 이격되어 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 검출하기 위한 강자성체 드레인; 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극; 및 상기 강자성체 소스/드레인과 상기 반도체 기판 사이에 형성된 003c#100003e# 방향의 결정성을 갖는 MgO 터널링막 또는 유기터널링막; 을 포함한다.
URI
Go to Link
Appears in Collections:
KIST Patent > 2008
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE