스핀 홀 효과를 이용한 자기메모리셀 판독 방법 및자기메모리 장치

Title
스핀 홀 효과를 이용한 자기메모리셀 판독 방법 및자기메모리 장치
Authors
구현철김형준장준연한석희
Issue Date
2008-08-01
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명의 일 양태에 따른 자기메모리 장치는, 채널층을 갖는 판독용 기판부; 및 상기 기판부 상에 형성되며, 상기 채널층을 지나는 전자에 스핀 정보를 전달하는 자화된 자성체를 구비한 자기메모리셀을 포함하고, 상기 채널층을 지나는 전자가 스핀 홀 효과에 의해 상기 채널층 폭방향으로 이동함으로써 발생되는 상기 채널층 양측단의 전압으로 상기 자기메모리셀에 저장된 정보가 판독된다.
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KIST Patent > 2008
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