가시광 대역 반도체 나노선 광센서 및 이의 제조 방법

Title
가시광 대역 반도체 나노선 광센서 및 이의 제조 방법
Authors
김동완박경수박재관박재환변재철최경진최영진
Issue Date
2008-04-17
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명의 일 양태에 따른 반도체 나노선 광센서는, 적어도 상부가 절연체로 된 기판과; 상기 기판 상에 소정 간격으로 분리되어 형성된 두 전극과; 상기 각 전극 상에 형성된 금속 촉매층과; 상기 각 전극 상의 금속 촉매층으로부터 성장된 가시광 대역의 반도체 나노선들; 을 포함한다. 상기 두 전극의 금속 촉매층 위에 성장된 양측의 반도체 나노선들이 상기 두 전극 사이에서 상기 기판과 이격되게 부양된 상태로 양측 상호간에 서로 접촉되는 구조로 연결되어 있다.
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KIST Patent > 2008
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