셋 전압 윈도우가 좁은 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물및 그 제조 방법

Title
셋 전압 윈도우가 좁은 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물및 그 제조 방법
Authors
양민규이전국
Issue Date
2008-03-13
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 셋 전압과 리셋 전압의 분포를 좁히고 소자 수율을 향상시킨 바이너리 산화물계 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명은 바이너리 산화물 박막 및 상부 전극의 증착이 각각 상온 및 상압보다 낮은 저압 상태에서 이루어지고, 상기 상부 전극의 증착 전에 상기 바이너리 산화물 박막을 산소 분위기하에서 후열처리하는 것을 특징으로 한다.
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KIST Patent > 2008
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