졸-겔 및 광경화 반응에 의해 광경화 투명고분자 내에금속산화물 나노입자를 포함하는 게이트 절연층을 이용한유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법

Title
졸-겔 및 광경화 반응에 의해 광경화 투명고분자 내에금속산화물 나노입자를 포함하는 게이트 절연층을 이용한유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
Authors
김동영김재경윤호규최준환
Issue Date
2008-01-29
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 졸-겔(sol-gel) 및 광경화 반응에 의해 광경화 투명고분자 내에 금속산화물 나노입자를 형성 및 결합시켜 전기유전율의 변화가 용이한 조성물을 게이트 절연체로 사용하는 유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명은 기판, 이 기판 위에 형성되는 전극층, 전극 위에 형성되는 금속산화물 나노입자를 포함하는 광경화 투명 무기/고분자 복합층, 유기활성층, 및 소스 및 드레인 전극층을 포함하고, 상기 금속산화물 나노입자를 포함하는 광경화 투명 무기/고분자 복합층이 금속산화물 전구체와 광경화 투명고분자를 혼합하여 스핀캐스팅(spin casting)을 통해 유기막을 형성시킨 후 졸-겔 및 광경화 반응을 통해 그의 일부가 나노무기입자로 전환되어 유전성을 가지게 되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터를 제공한다. 본 발명에 따른 유기박막 트랜지스터는 게이트 절연체의 유전율이 종래 사용되는 게이트 절연체에 비해 월등히 높고 조절이 용이하며, 광경화 투명고분자의 특성을 그대로 유지하여 투명할 뿐만 아니라, 광경화로 미세패턴 형성이 가능하여 공정성이 매우 우수하다는 장점을 갖는다.
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KIST Patent > 2008
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