에피택셜 성장 강자성체-반도체 접합을 이용한 스핀트랜지스터

Title
에피택셜 성장 강자성체-반도체 접합을 이용한 스핀트랜지스터
Authors
구현철김경호김형준장준연한석희
Issue Date
2007-12-13
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명의 일 측면은, 내부에 채널층이 형성된 반도체 기판부; 상기 반도체 기판부 상에 에피택셜 성장되어 결정 이방성에 의해 상기 채널층의 길이 방향(채널 방향)으로 자화된 강자성체 소스 및 드레인 - 상기 소스 및 드레인은 상기 채널 방향으로 서로 이격되어 배치되고, 상호 동일한 방향으로 자화됨 -; 및 상기 반도체 기판부와 절연되도록 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판부 상에 형성되고 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 조절하는 게이트; 를 포함하는, 스핀 트랜지스터를 제공한다.
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Appears in Collections:
KIST Patent > 2007
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