전도성 질화물을 사이층으로 사용한 높은 스핀주입 효율을 갖는 다층막 구조

Title
전도성 질화물을 사이층으로 사용한 높은 스핀주입 효율을 갖는 다층막 구조
Authors
안효신이광렬이승철
Issue Date
2006-12-15
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 비자성 또는 자성 반도체에 특정한 스핀 방향을 가진 전자를 주입할 때 높은 스핀주입 효율을 나타낼 수 있는 다층막 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전이금속 질화물 중 전도성 질화물인 TiN, TaN, NbN, ZrN 등을 강자성 물질과 반도체 물질의 사이층으로 사용한 다층막 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 다층막 구조는 강자성 물질/반도체의 접합에서 나타나는 쇼트키 장벽(Schottky Barrier), 전도도 불일치(Conductivity Mismatch), 그리고 계면 형상의 불균일성을 나타내지 않으며, 높은 스핀주입 효율을 달성한다. 따라서 본 발명에서 얻어진 다층막 구조를 이용하면 종래의 강자성 물질/반도체 접합에 비해 더 높은 스핀주입효율을 가진 소자를 제조할 수 있는 장점이 있다.
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KIST Patent > 2006
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