술폰산이 부분적으로 도입된 폴리벤지이미다졸, 그 제조방법, 상기 폴리벤지이미다졸을 이용한 연료전지용막전극접합체 및 그 제조 방법

Title
술폰산이 부분적으로 도입된 폴리벤지이미다졸, 그 제조방법, 상기 폴리벤지이미다졸을 이용한 연료전지용막전극접합체 및 그 제조 방법
Authors
김형준남석우오인환이상엽이증우임태훈함형철홍성안
Issue Date
2006-12-22
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 술폰산이 부분적으로 도입된 폴리벤지이미다졸, 그 제조 방법, 상기 폴리벤지이미다졸을 이용한 연료전지용 막전극접합체 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 무기산으로 도핑된 PBI 계 고분자의 치수 안정성을 높이고 이에 따라 기존의 PBI 계 고분자와 대비하여 더욱 높은 성능을 구현하도록 할 수 있다.
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KIST Patent > 2006
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