탄화규소 나노선의 제조 방법

Title
탄화규소 나노선의 제조 방법
Authors
김동완박재관박재환최경진최영진
Issue Date
2006-11-17
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 탄화규소 나노선의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 규소(Si)와 탄소(C)를 동시에 제공하는 단일 전구체로서 특히 디클로로메틸비닐실란(dichloromethylvinylsilane, CH2CHSiC(CH3)Cl2)을 사용하고 이를 유입량이 조절된 운반가스와 함께 고온으로 유지되는 환원분위기의 반응기 내로 주입하여 기판 상에 증착시킴으로써, 지름이 매우 작고, 우수한 단결정성을 가지는 탄화규소 나노선을 재현성 있게 제조할 수 있으므로 우수한 전계 방출 특성을 나타내는 전계 방출 소자의 제조가 가능하게 한 탄화규소 나노선의 제조방법에 관한 것이다.
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Appears in Collections:
KIST Patent > 2006
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