격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물구조의 광소자용 에피박막층과 그 제조방법

Title
격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물구조의 광소자용 에피박막층과 그 제조방법
Authors
김선호변영태송종한
Issue Date
2006-01-26
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 고에너지 이온 주입에 의한 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층과 그 제조방법에 관한 것으로서, 고에너지 이온 주입에 의한 밴드갭 파장 이동을 극대화할 수 있는 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층과, 이온 주입 및 열처리 공정의 최적화 등 양자우물 혼합 과정을 최적화하여 최소 100nm 이상의 밴드갭 파장 이동을 얻을 수 있는 에피박막층의 제조방법에 관한 것이다.
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KIST Patent > 2006
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