SOI기판을 이용한 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자및 그 제조방법

Title
SOI기판을 이용한 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자및 그 제조방법
Authors
구현철김원용이현정장준연한석희
Issue Date
2005-03-05
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 SOI 기판을 이용한 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 특히 상온에서 강자성체로부터 스핀분극된 전자를 Si 반도체에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터를 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의하면, 절연막 위에 SOI 기판이 형성되고, 상기 SOI 기판 위에 자성체의 소스 영역이 형성되며, 상기 소스 영역으로 주입된 스핀이 통과하는 상기 SOI 기판 위에 1차원 구조의 스핀 채널영역이 형성되고, 상기 스핀 채널영역을 통과한 스핀이 검출되는 상기 SOI 기판 위에 자성체의 드레인 영역이 형성됨을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자를 제시한다.따라서, 본 발명은 종래의 자성체/Si 반도체 소자에서 구현되지 않았던 스핀밸브효과를 달성하여 반도체 트랜지스터에서 캐리어의 전하만을 전기장으로 제어하는 것과 달리 하이브리드형 자성체/반도체 소자에서는 소스와 드레인에 자성체를 사용하여 스핀을 SOI 반도체에 주입하고 검출함으로써 캐리어의 스핀을 이용한 메모리 및 논리소자로 응용할 수 있다.
URI
Go to Link
Appears in Collections:
KIST Patent > 2005
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE