커플된 양자점 구조 및 그 형성방법

Title
커플된 양자점 구조 및 그 형성방법
Authors
김재호김태환박용주
Issue Date
2004-09-21
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 전하운반자를 포획하는 성질을 가진 자발형성 양자점을 포함하는 단층 혹은 다층 구조의 반도체층 상부에 금속탐침을 위치시켜 금속탐침과 반도체간에 전계를 인가함으로써 자발형성 양자점 상부의 반도체층에 반전 영역이 형성되도록 함으로써 자발형성 양자점과 국소 반전층에 따른 인공 양자점 사이의 커플된 양자 구조를 형성한다. 본 발명에 따르면, 새로운 커플된 양자구조가 가능하며, 이를 이용한 새로운 양자소자가 가능하다.
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KIST Patent > 2004
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