전착법을 이용한 무정질 티타늄 산화물 막의 제조방법

Title
전착법을 이용한 무정질 티타늄 산화물 막의 제조방법
Authors
록핸드씨.디.민선기정광덕주오심
Issue Date
2004-05-28
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 전착법을 이용한 무정질 티타늄 산화물 막의 제조방법에 관한 것으로서, 티타늄 염 및 착화제 각각을 0.01 내지 1M의 농도로 포함하는, pH 7 내지 12의 염기성 수용액 중에 상대전극(counter electrode)과 작업전극(working electrode)을 침지시킨 후 양 전극에 전압을 인가하는 본 발명의 전착법에 의하면, 조밀하고 균일하고 핀홀이 없는(pinhole free), 무정질의 티타늄 산화물 막을 온화한 조건에서 간단히 제조할 수 있으며, 이 막은 광감응태양전지 및 광전기화학전지의 전극 등 부식성이 높은 전극의 보호막으로서 유용하게 이용될 수 있다.
URI
Go to Link
Appears in Collections:
KIST Patent > 2004
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE