STI-CMP용 고성능 슬러리

Title
STI-CMP용 고성능 슬러리
Authors
김주선김태은이종호이해원임건자
Issue Date
2003-05-16
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 반도체의 절연기술 중 하나인 STI(Sallow Trench Isolation) 공정에서 사용되는 절연층을 기계 화학적인 방법으로 제거하기 위한 CMP 공정에 사용되는 나노 크기의 세라믹 분말을 연마제로 사용한 슬러리에 관한 것이다. 본 발명의 CMP용 슬러리는 나노 크기의 세리아 분말이 중성에서 안정하게 분산되도록 분산 안정성을 조절하는 첨가물들, 그리고 반도체 절연층중 산화물과 질화물의 연마율의 상대적인 비 (선택비)를 향상 시키는 첨가물들이 함유되어 있다. 본 발명의 자세한 슬러리 조성은 연마제로 1 - 5 중량%의 세리아, 분산 안정화제로 연마제에 대하여 2 - 3 중량%의 구연산, 선택비 제어제로 연마제에 대하여 1 - 5 중량%의 글리신, pH 조절제로 수산화칼륨과 질산이 증류수에 첨가되어 있으며, pH 4 - 12에서 안정한 조성을 가진다.
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KIST Patent > 2003
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