양자점 구조를 활성층으로 이용하는 고휘도 발광소자 및그 제조 방법

Title
양자점 구조를 활성층으로 이용하는 고휘도 발광소자 및그 제조 방법
Authors
한일기허두창
Issue Date
2003-05-16
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 고휘도 발광소자의 활성층으로 양자점 구조를 이용하여 LED의 넓은 파장 대역폭 특성과 레이저 다이오드의 높은 광출력 특성을 동시에 만족시키는 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판, 방출되는 광을 구속하기 위하여 기판 위에 형성된 제 1 클래딩층, 양자점들의 배열을 제어하기 위하여 제 1 클래딩층 위에 형성된 제 1 초격자층, 사전설정된 파장을 갖는 광을 방출하기 위하여 제 1 초격자층 위에 형성된 양자점 구조의 활성층, 양자점들의 배열을 제어하기 위하여 활성층 위에 형성된 제 2 초격자층, 활성층으로부터 방출되는 광을 구속하기 위하여 제 2 초격자층 위에 형성된 제 2 클래딩층 및 옴 접촉(ohmic contact)을 조절하기 위하여 제 2 클래딩층 위에 형성된 오믹층을 포함하는 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다.고휘도 발광소자, 활성층, 양자점, 파장 대역폭, 광출력
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Appears in Collections:
KIST Patent > 2003
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