비대칭 SCH 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그제조 방법

Title
비대칭 SCH 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그제조 방법
Authors
박용주송진동이정일조운조최원준한일기허두창
Issue Date
2003-03-25
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 비대칭 SCH(Separate-Confinement Heterostructure) 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는 InP를 기반으로 하여 InP-InGaAs-InGaAsP로 구성되어 있다. 반도체 레이저 다이오드는 p-클래딩층, p 형 제 1 및 제 2 SCH층들, 이러한 p 형 제 1 및 제 2 SCH층들 사이에 삽입되는 p-InP 삽입층, 레이저 빔을 방출하며 다수의 장벽층 및 다수의 우물층을 구비하는 활성층, n 형 제 1 및 제 2 SCH층들, n 형 제 1 SCH층 내에서 n 형 제 2 SCH층과의 경계면에 삽입되는 InGaAsP 삽입층, n-클래딩층을 포함하고 있다. 반도체 레이저 다이오드 제조 방법은 기판 상에 n-클래딩층을 형성하는 단계, n-클래딩층 상에 n 형 제 2 SCH층을 형성하는 단계, n 형 제 2 SCH층 상에 n 형 제 1 SCH층을 형성하는 단계, n 형 제 1 SCH층 상에 활성층을 형성하는 단계, 활성층 상에 p 형 제 1 SCH층을 형성하는 단계, p 형 제 1 SCH층 상에 p-InP 삽입층을 형성하는 단계, p-InP 삽입층 상에 p 형 제 2 SCH층을 형성하는 단계, p 형 제 2 SCH층 상에 p-클래딩층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, n 형 제 1 SCH층의 형성시, InGaAsP 삽입층이 n 형 제 1 SCH층 내에 삽입된다.
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KIST Patent > 2003
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