높은 위상변조 효율을 갖는 InGaAsP/InPridge 도파로 위상 변조기의 에피박막층 제조방법

Title
높은 위상변조 효율을 갖는 InGaAsP/InPridge 도파로 위상 변조기의 에피박막층 제조방법
Authors
박화선변영태우덕하이석이종창
Issue Date
2003-04-14
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 높은 위상변조 효율을 갖는 InGaAsP/InP 리지(Ridge) 도파로 위상변조기의 에피박막층 제조방법에 관한 것이다. 특히, 1.55 ㎛ 파장에서 TE 모드의 위상변화가 역바이어스 전압에 선형 비례함과 동시에 높은 위상변조 효율을 갖도록 제작된 P-p-n-N InGaAsP/InP 리지(ridge) 도파로 위상변조기에 관한 것이다.본 발명에 의하면, InGaAsP/InP 도파로 위상 변조기의 수직방향 광구속을 얻기 위한 에피 박막층 제조방법에 있어서, N+-InP(≥2×1018cm-3) 기판 위에 0.25두께의 N-InP(3 ×1017cm-3) 제 1클래딩층을 형성하는 단계와; 상기 제 1클래딩층 위에 0.25두께의 n-InGaAsP(1 ×1017cm-3) 제 1도파로층과 0.25두께의 p-InGaAsP(1 ×1017cm-3) 제 2도파로층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제 2도파로층 위에 0.75두께의 P-InP(1 ×1017cm-3) 제 2클래딩층과 0.25두께의 P-InP(1 ×1017cm-3) 제 3클래딩층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제 3클래딩층 위에 0.2두께의 p+-InGaAs(1 ×1018cm-3) 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피 박막층 제조방법을 제시한다. InGaAsP/InP, 리지(Ridge) 도파로, 위상변조기, 에피 박막, P-p-n-N 도핑(doping) 구조
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KIST Patent > 2003
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