실리콘 나노결정립 형성방법

Title
실리콘 나노결정립 형성방법
Authors
박용주이태경정민철한문섭
Issue Date
2003-02-06
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 나노결정립 실리콘을 형성 방법에 관한 것으로, 상온에서 표면에 실리콘 산화물을 포함하고 있는 실리콘 기판에 표면의 실리콘 산화물을 나노 단위의 구조물로 형성하고 형성된 나노미터 크기의 실리콘 산화물의 구조물 사이에 실리콘 질화물 또는 실리콘산화질화물(SiOxNy)을 바로 성장시킨다. 본 발명에 따르면 초고진공에서 질소(N2)가스를 직류형 이온총(DC ion gun)을 이용하여 낮은 에너지의 이온화된 질소가스를 저온상에서 일정한 전압이 걸려 있는 시료에 노출함으로써 실리콘 나노 결정립을 형성한다. 노출되는 이온화된 질소가스의 압력과 시료에 걸리는 전압 및 시간을 통하여 실리콘 나노산화물 구조의 크기, 밀도를 조절할 수 있다. 또한, 실리콘 나노 결정립 사이에 형성되는 실리콘산화질화물 나노구조물은 후열처리를 통해 실리콘 나노결정립으로 변화시킬 수 있다. 따라서, 상온에서 초고진공상의 공정을 통해 불순물의 오염이 거의 없어 고순도의 실리콘 기반 나노 물질을 형성할 수 있다.직류이온총, 이온화가스 표면 처리법, 나노 실리콘 산화물, 나노 실리콘 질화물, 실리콘 나노결정립
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KIST Patent > 2003
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