MoSi₂―Si₃N₄복합피복층 및 그 제조방법

Title
MoSi₂―Si₃N₄복합피복층 및 그 제조방법
Authors
김긍호김두용김재수노대호변지영신종철윤진국이종권
Issue Date
2002-03-14
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 몰리브덴이 피복된 니오비움 또는 몰리브덴이 피복된 니오비움 합금의 모재 표면상의 MoSi2-Si3N4복합피복층 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 상기 모재 표면상의 MoSi2-Si3N4복합피복층은 (1) 상기 모재 표면에 질소를 기상증착하여 Mo2N 확산층을 형성하고, Mo2N 확산층의 표면에 실리콘을 기상증착하여 MoSi2-Si3N4복합피복층을 형성하거나, (2) 상기 모재 표면에 화학증착법에 의하여 실리콘을 기상증착하여 MoSi2 확산층을 형성하고, MoSi2 확산층을 고순도 수소 또는 아르곤 분위기하에 열처리하여 Mo5Si3 확산층으로 상변태시키고, Mo5Si3 확산층의 표면에 화학증착법에 의하여 질소를 기상증착하여 Mo2N-Si3N4 복합확산층을 형성하고, Mo2N-Si3N4 복합확산층의 표면에 실리콘을 기상증착하여 MoSi2-Si3N4복합피복층을 형성함으로써 제조될 수 있다. 상기 방법으로 제조된 MoSi2-Si3N4복합피복층은 등축정의 MoSi2 결정입계에 Si3N4입자들이 분포된 조직을 특징으로 하여 (1) 모재의 반복내산화성의 향상, (2) 저온내산화성의 향상, (3) 피복층의 기계적성질의 개선, 즉 열응력에 의한 미세크랙의 전파억제을 기할 수 있다.
URI
Go to Link
Appears in Collections:
KIST Patent > 2002
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE