N-히드록시페닐말레이미드 함유 내열성 고분자, 및 이를 포함하는 반사 방지막 조성물과 반사 방지막

Title
N-히드록시페닐말레이미드 함유 내열성 고분자, 및 이를 포함하는 반사 방지막 조성물과 반사 방지막
Authors
강종희김준우안광덕
Issue Date
2002-02-25
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 반도체 제조에서 미세 패턴 가공 시 노광된 빛의 난반사 억제를 위하여 사용될 수 있으며, 193nm 파장의 원자외선 영역에서 높은 광흡수도를 갖는 N-하이드록시페닐말레이미드 반복 단위 함유 유기 고분자, 이를 포함하는 반사 방지막용 조성물 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기 고분자를 포함하는 바닥 반사 방지막은 기가 비트급 디램(Giga-bit DRAM)의 고집적 반도체 소자 제조에 사용되어 회로의 층간 난반사 및 정재파 현상을 대폭 억제할 수 있으므로, 70nm - 120nm 급의 초고해상도 미세회로를 안정적으로 형성하여 반도체 제품의 생산 수율을 증대시킬 수 있다. 반사 방지막(조성물), N-하이드록시페닐말레이미드 함유 고분자, 반도체 미세가공 공정, 아르곤 플루오라이드 193nm 노광공정, 광흡수 발색단 함유 유기 고분자 반사 방지막
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Appears in Collections:
KIST Patent > 2002
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