InP 기반 레이저 다이오드 기술에서 고농도 도핑된p-InP 삽입층을 이용한 레이저 다이오드의 광출력증가 방법

Title
InP 기반 레이저 다이오드 기술에서 고농도 도핑된p-InP 삽입층을 이용한 레이저 다이오드의 광출력증가 방법
Authors
김은규박용주이정일조운조최원준한일기허두창
Issue Date
2001-12-31
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 InP를 기반으로 하는 InP-InGaAs-InGaAsP로 구성된 레이저 다이오드에서 고농도 도핑된 p-InP 삽입층을 이용하여 레이저 다이오드의 광출력을 증가시키기 위한 방법에 관한 것이다. 레이저 다이오드를 제작하기 위한 보통의 에피 구조는 온도의 증가나 구동 전류의 증가에 따른 누설전류의 증가현상 또는 전자에 대한 에너지 장벽 높이(barrier height)의 감소현상 때문에 구동 전류가 일정량 이상에 도달하게 되면 구동 전류의 증가에 따른 광출력의 증가폭이 감소하게 되어 높은 광출력을 얻는데 한계가 있다. 본 발명에서는 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 보통의 레이저 다이오드용 에피 구조에 고농도로 도핑된 10nm두께의 p-InP층을 삽입하였다. 그 결과, 레이저 다이오드의 광출력 및 기울기 효율이 현저하게 증가된다. 높은 광출력 특성을 가진 고출력 레이저 다이오드는 광출력 분야, 가공, 의료, 군사 분야에서 다양하게 이용된다. 레이저 다이오드, InP, InP-InGaAs-InGaAsP, P-InP 층
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KIST Patent > 2001
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