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dc.contributor.author김운석-
dc.contributor.author김형선-
dc.contributor.author남상철-
dc.contributor.author박호영-
dc.contributor.author윤경석-
dc.contributor.author윤영수-
dc.contributor.author임영창-
dc.contributor.author조병원-
dc.contributor.author조원일-
dc.contributor.author최창훈-
dc.date.accessioned2015-12-04T08:32:44Z-
dc.date.available2015-12-04T08:32:44Z-
dc.date.issued20021209-
dc.identifier.other1020027016795-
dc.identifier.urihttp://kpat.kipris.or.kr/kpat/biblioa.do?method=biblioFrame&applno=1020027016795en_US
dc.identifier.urihttp://pubs.kist.re.kr/handle/201004/54233-
dc.description.abstract본 발명은 집전체 상에 10Å - 100 ㎛ 두께의 리튬층 또는 리튬 합금층과, 1Å - 10 ㎛ 두께의 다공성 금속층 또는 다공성 탄소층이 순차 적층된 다층 구조의 리튬 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬전지를 제공한다. 보다 구체적으로는, 구리 또는 니켈 집전체 상에 10Å - 100 ㎛ 두께의 리튬층 또는 리튬 합금층과 1Å - 10 ㎛ 두께의 다공성 금속층 또는 다공성 탄소층을 차례로 형성시키는 것에 의하여 제조되는 다층 구조의 리튬 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬전지를 제공한다.-
dc.languageKO-
dc.publisher한국과학기술연구원-
dc.title다층구조의 리튬 전극, 그 제조 방법 및 그를 이용한리튬전지-
dc.typePatent-
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KIST Patent > 2002
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