반도체 레이저와 반도체-광증폭기의 수평 결합을 이용한전광 파장변환기의 구현 방법

Title
반도체 레이저와 반도체-광증폭기의 수평 결합을 이용한전광 파장변환기의 구현 방법
Authors
강병권김대신김선호김재헌박윤호우덕하이석
Issue Date
2001-01-11
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 반도체 레이저와 반도체-광증폭기의 수평 결합을 이용한 전광 파장변환기의 구현방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기존의 간섭계 방식을 대신에 수평 결합 방식을 이용하여 파장변환기를 구현토록 하는 기술에 관한 것이다.본 발명에 의하면 소자의 활성층이 InGaAsP의 다중 양자 우물 구조로 이루어지고 그 상부에 제 1도파로와 제 2도파로를 구비하는 파장변환기의 구현 방법에 있어서, 상기 제 1 및 제 2도파로 중에 적어도 어느 한 쪽의 도파로 양 끝면을 각각 식각한 후 무반사 코팅한 다음 클리빙을 통하여 분리함으로서 반사면과 무반사면을 갖는 파장변환 소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저와 반도체-광증폭기의 수평 결합을 이용한 전광 파장변환기의 구현방법이 제공된다.따라서, 본 발명의 파장변환기에 따르면 기존의 마흐젠더 간섭계의 구조를 필요치 않으므로 상당히 큰 입력전력의 범위를 갖게 된다. 이는 파장가변 레이저 다이오드(LD) 등의 기존 반도체 레이저의 특징을 살릴 수 있는 장점이 있다. 또한, 광원이 따로 필요치 않으므로 소자의 집적화가 용이하며, 파장 가변성과 제작의 용이성을 제공할 수 있다.반도체 레이저, 반도체 광증폭기, 파장변환기, 수평결합, 무반사코팅
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KIST Patent > 2001
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