이온빔 보조 반응법을 이용한 고분자 분리막의 표면 개질방법

Title
이온빔 보조 반응법을 이용한 고분자 분리막의 표면 개질방법
Authors
고석근조정이철수
Issue Date
2002-01-28
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 이온빔 보조 반응법을 이용한 표면 개질된 고분자 분리막 및 그 표면 개질 방법에 관한 것으로, 반응성가스를 주입하면서 일정한 가속에너지 및 전류밀도를 갖는 이온빔을 고분자 분리막에 조사하여 상기 고분자 분리막 표면의 기공의 크기와 수량을 조절하고 고분자 분리막 내부에 친수성 작용기를 형성시키는 이온빔 보조 반응법을 이용한 고분자 분리막의 표면 개질 방법 및 표면 개질된 고분자 분리막을 제공한다. 본 발명에 의하면 고분자 분리막의 표면을 이온조사량 및 이온빔의 종류에 따라 처리하여 분리막 표면을 친수성으로 변화시킬 뿐만 아니라 이온빔 조사량에 따라 기공의 크기를 제어함으로써 기존에 물의 침투나 전해질의 투과가 불가능한 문제점을 개선할 수 있다. 이러한 분리막의 표면개질은 분리막 전체의 성질은 변하지 않고 단지 표면의 성질만 변하기 때문에 장기간 사용하여도 분리막의 특성은 저하되지 않으며 기공의 크기를 제어할 수 있으므로 선택적 투과성을 요구하는 각종 고분자 분리막의 기공성 제어가 용이해지며 전해질 투과성이 크게 향상된다.
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KIST Patent > 2002
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