이온주입에 의한 고전압 쇼트키 다이오드 제조방법

Title
이온주입에 의한 고전압 쇼트키 다이오드 제조방법
Authors
송종한윤영수이석임성일최원국
Issue Date
2000-08-09
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
이온주입으로 에지 종단처리(edge termination)를 함으로써 항복전압을 증가시키는 고전압 쇼트키 다이오드 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은, 실리콘 기판 상에 금속막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 금속막 패턴을 이온주입 마스크로 하여 상기 실리콘 기판 상에 이온주입을 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 적절한 이온선량과 이온질량의 범위에서 이온을 주입하여 에지 종단처리를 함으로써 항복전압을 증가시킬 수 있다. 특히, 붕소이온을 주입할 경우에 항복전압의 증가현상이 두드러졌으며 그 적절한 이온선량은 1×1012 ~1×1014/cm2 이었다. 본 발명에 의하면, 일반적으로 사용되고 있는 고가의 금속-SiC 쇼트키 다이오드와 대등한 항복전압을 가지면서도 상대적으로 저가인 금속-실리콘 쇼트키 다이오드를 제조할 수 있다. 그리고, 이온주입이 자기 정렬적으로 되기 때문에 그 제조공정이 매우 간단하다. 에지 종단처리, 쇼트키 다이오드, SiC, 붕소, 이온주입
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Appears in Collections:
KIST Patent > 2000
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