열적특성이 향상된 MRAM용 TMR소자 및 제조방법

Title
열적특성이 향상된 MRAM용 TMR소자 및 제조방법
Authors
김광윤장성호
Issue Date
2001-09-18
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 열적특성이 향상된 MRAM용 TMR소자 및 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 TMR구조중 피고정층인 제1강자성층에 산화층을 형성하여 반강자성층에서 발생하는 Mn확산을 차단, 다른 층으로 이동하는 것을 막아 줌으로써 TMR소자의 열적 특성을 향상시킴과 동시에 열처리를 통하여 균일한 산화층을 형성할 수 있는 것이다. 그러므로 MRAM 제조시 CMOS와의 결합을 위해 적용되는 플라즈마 향상 화학 기상증착법 및 소결 공정등의 요구조건에 적합하다.
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KIST Patent > 2001
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