P채널쇼트기접합금속산화물반도체전계효과트랜지스터및그의제조방법과상보형금속산화물반도체전계효과트랜지스터에의응용

Title
P채널쇼트기접합금속산화물반도체전계효과트랜지스터및그의제조방법과상보형금속산화물반도체전계효과트랜지스터에의응용
Issue Date
1984-12-31
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
CMOSFET제조에 있어서, P채널 SCMOSFET를 응용하여 래치업 현상을 제거하고 소오스와 드레인간의 저항값을 작게 하여 집적도를 향상시키도록 한다.n형 실리콘 웨이퍼 기판(30)상에 형성된 피웰내의 n+형 확산영역의 주연부와 n형 실리콘 웨이퍼기판의 소오스 및 드레인을 형성할 영역의 주연부에 P+형 확산영역(36)을 각기 형성한다. 그리고 피웰내의 N+형 확산영역과 n형 실리콘 웨이퍼 기판의 소오스 및 드레인(41)을 형성할 영역의 상면에는 백금실리사이드층(29)을 각기 형성한다. 그런 후 n형 실리콘 웨이퍼 기판과 피웰 내의 n+형 확산영역에 PN접합 및 백금실리사이드 쇼트키 접합이 병렬로 결합된 소오스와 드레인을 각기 형성하므로써 상보형 금속산화물 반도체 전계효과트랜지스터를 형성한다.
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KIST Patent > ETC
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