다이아몬드합성방법

Title
다이아몬드합성방법
Issue Date
1992-11-23
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 흑연판과 용매금속판을 교대로 적층하여 고온고압하에서 다이아몬드 입자를 합성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 다이아몬드의 육성시 용매금속판과 다이아몬드 입자의 밀도차에 의해 용매금속판의 아랫쪽면에 형성된 다이아몬드 입자가 용매금속판의 윗쪽면으로 떠오르는 현상을 방지하기 위하여 용매금속판의 사이에 텅스텐이나 몰리브데늄 박판으로 이루어진 중간층을 삽입한 데에 기술적 특징이 있다. 본 발명의 방법에 의하면 용매금속판의 상하부에 거의 같은 수, 같은 크기의 다이아몬드가 형성되는 이점이 있다.
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KIST Patent > ETC
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