칩인덕터제조용페라이트

Title
칩인덕터제조용페라이트
Issue Date
1992-09-23
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 칩 인덕터의 제조용 자성체 재료에 관한 것으로 900℃이하의 온도에서 소결이 이루어짐에 따라 내부 도체로서 저가의 Ag를 사용할 수 있는 칩 인덕터 제조용 페라이트에 관한 것이다.본 발명의 페리트 조성은 Fe2O3 48.5~50.0몰%, NiO 5~30몰%, CuO 5~15몰% 및 ZnO 5.5~35.5몰%로 이루어진 조성으로서 이때 각 원료조성은 미립분말 상태를 유지한다.본 발명은 칩 인덕터 제조용 페라이트 조성으로 Ni-Cu-Zn계 페라이트를 사용하여 900℃에서 소결이 가능함에 의하여 내부도체용 전극으로 비교한 저가의 Ag 전극사용이 가능하므로 칩 인덕터의 제조비용을 낮출 수 있는 효과가 있다.
URI
Go to Link
Appears in Collections:
KIST Patent > ETC
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE