텅스텐질화박막을베리어메탈로이용한실리콘반도체소자의알루미늄금속배선형성방법

Abstract

본 발명은 초고집적 반도체소자의 금속배선에 관한 것으로 알루미늄금속배선을 위한 알루미늄박막의 도포전에 베리어메탈로서 저저항의 텅스텐질화박막을 형성하는 텅스텐질화박막을 베리어메탈로 이용한 실리콘 반도체소자의 알루미늄금속배선 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 알루미늄금속배선 형성공정은 실리콘기판상에 WF6-NH3-H2 반응계를 이용하여 0.1-1Torr의 증착압력하에 250-300℃의 증착압력으로 텅스텐질화박막을 형성하되 이때 NH3-WF6 의 분압비를 1:2 이상으로 유지하며, 텅스텐질화박막의 증착이 완료된 다음에는 그 위에 알루미늄박막을 도포하는 공정으로 이루어진다. 이같은 공정으로 이루어진 본 발명은 알루미늄금속배선시 접촉 저항을 낮추기 위한 열처리시 텅스텐질화박막에 의해 알루미늄이 실리콘내부로 융융되어 들어가는 것이 방지됨에 따라 종래의 알루미늄금속배선에서 문제점으로 작용하고 있는 정션스파이크등의 결함이 제거되는 효과가 있다.