적층캐패시터용유전성세라믹조성물

Title
적층캐패시터용유전성세라믹조성물
Issue Date
1992-04-15
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 저온소성용 적층 세라믹 캐패시터용 재료로 사용되는 유전성 세라믹 조성에 관한 것이다.본 발명의 유전성 세라믹 조성은 Pb(Mg⅓Nb⅔)O3-PbTiO2계를 기본으로 하여 이 기본조성의 일부를 Pb1-xBax,(Cd⅓Nb⅔)03로 치화하여 이루어진 것으로서 안정된 페브로스카이트(PerOvskite)구조를 띰에 따라 유전특성과 온도의 존성이 우수하고 1200℃이하의 소결온도를 나타내어 소결특성이 우수하다.
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KIST Patent > ETC
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