플라즈마화학증착법을이용한갈륨비소반도체소자의쇼트키접합및금속배선용텅스텐박막형성방법

Title
플라즈마화학증착법을이용한갈륨비소반도체소자의쇼트키접합및금속배선용텅스텐박막형성방법
Issue Date
1992-04-03
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 플라즈마 화학증착법을 이용하여 갈륨비소 반도체소자의 금속배선용 텡스텐박막을 증착시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 갈륨비소기판을 일반적인 PECVD반응기내에 위치시킨 상태에서 WF6-SiH4-H2반응계를 이용하여 중착압력 1-10-1Torr, 중착온도 200∼300℃에서 금속배선용 텡스텐박막을 갈륨비소 기판의 표면에 중착히키는 방법으로 이루어져 있다. 본 발명은 종래의 알루미늄등을 쇼트키 콘택트(Schottky contact)용 금속박막으로 사용하는 경우에 야기되는 열처리에 따른 결함이 억제되고, 특히 자기정렬 MESFET제조시 그 제조공정의 단순화가 가능해진다는 장점이 있다. 그리고, 본 발명의 방법에 의해 얻어지는 텡스텐박막은 비저항이 약 20 πΩ-㎝이고 낮은 역방향 누설전류특성을 나타낸다.
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KIST Patent > ETC
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