선택적유기금속화학증착법을이용한갈륨-비소전계효과트랜지스터

Title
선택적유기금속화학증착법을이용한갈륨-비소전계효과트랜지스터
Issue Date
1992-02-15
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 갈륨비소(GaAs) 반도체를 이용하여 새로운 구조의 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명의 전계효과 트랜지스터는 결정성장면이 (001)인 갈륨비소 반절연 기판상에 절연체로 마스크층을 형성시키고, 선택적 유기금속화학 증착법으로 저항접촉을 위해 고농도 n+층으로 역방향 메사를 형성하고, n층의 성장으로 이등변삼각형의 빈공간을 형성시키며, 저항접촉을 위해 다시 n층을 식각한 후, 드레인과 소오스를 형성시키고, 리프트-오프 방식으로 게이트를 증착시키는 것에 의해 제작된다.
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KIST Patent > ETC
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