저온소결고유전율유전체자기조성물과,이조성물을이용하여제조된적층세라믹캐패시터및그제조방법

Title
저온소결고유전율유전체자기조성물과,이조성물을이용하여제조된적층세라믹캐패시터및그제조방법
Issue Date
1994-12-23
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 저온소결 고유전율 유전체 자기조성물과, 이 조성물을 이용하여 제조된 적층세라믹 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유전체 자기조성물은 (1-x)95PMN-x(PT)-y(CuO)-z(PbO)에서 x=4∼6mol%, y=1∼10mol%, z=2∼8mol%의조성을 갖는 것으로, 810℃의 저온에서도 소결이 가능해져 저가의 내부 전극 재료들, 특히 100%의 온(Ag) 또는 니켈(Ni) 및 동 (Cu)과 같은 비금속을 사용할 수 있어 재료비 및 에너지비용이 절감되고, 저온소결에 따른 산화납(PbO)의 휘발이 억제됨으로써 조성의 균일화에 따른 유전특성의 재현성이 우수할 뿐 아니라 산화납의 휘발에 의한 소성로와 대기의 오염을 줄일 수 있으며, 3mol% 이상의 산화동(CuO)을 첨가하여 소결체에서의 2차상의 생성이 억제되어 18,000 이상의 높은 유전율을 얻을 수 있으며, 이러한 유전체를 유전체층으로 사용하는 적층세라믹 캐패시터와 그 제조방법이 제공되는 것이다.
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KIST Patent > ETC
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