주기율표III-V족화합물반도체의건식에칭방법

Title
주기율표III-V족화합물반도체의건식에칭방법
Issue Date
1994-12-12
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 건식공정에 의한 주기율표 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 에칭방법으로서, 반도체의 열해리증발 온도 이상의 반도체 기판온도에서, 에칭제로서 트리알킬인듐 가스와 과산화수소 가스를 다같이 사용하는 반도체의 에칭방법에 관한 것이다.본 발명에 따라 에칭제로서 트리알킬인듐 가스와 과산화수소 가스의 이용은 이들을 사용하는 금속 유기물 분자선에피탁시 장치나 화학빔에피탁시 장치와 함께 인라인 또는 인시투로 반도체의 선택적 에칭공정에서 유력한 에칭제로 활용될 수 있다.
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KIST Patent > ETC
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