갈륨비소반도체와산화루테늄접촉베리어의열적안정화방법

Title
갈륨비소반도체와산화루테늄접촉베리어의열적안정화방법
Issue Date
1994-12-08
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 열적으로 안정된 반도체소자용 게이트금속(gate metal) 및 금속배선 제작을 위해 반도체와 금속 사이의 접촉베리어(contact barrier)에 대한 열적안정성을 향상시키는 방법에 관한 것으로, 특히 갈륨비소반도체 위에 쇼트키장벽을 형성하고 열처리 수행시 300 ℃정도의 낮은 온도에서도 금속과 반도체 사이의 반응에 의한 접합장벽의 열화현상을 지연시켜줌으로써 열적안정성을 실현하려는 데 그 목적이 있다.따라서, 본 발명 갈륨비소반도체와 산화루테늄 접촉베리어의 열적안정화방법은 갈륨비소반도체의 쇼트키접촉용 금속으로 비저항이 작고 안정된 산화물인 산화루테늄의 접촉안정성을 높이기 위하여 갈륨비소반도체의 표면에 수소화를 실시함으로써, 반도체 표면에 존재할 수 있는 결함 및 불순물들의 전기적 이온상태를 중성화시켜 접촉베리어에 영향을 미치는 계면고정효과(interface pinning effect)를 방지할 수 있고, 접촉계면의 산화반응을 억제하게 되어 열적안정성을 유지하게 되는 효과가 있다.
URI
Go to Link
Appears in Collections:
KIST Patent > ETC
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE