고주파유전체자기조성물및그제조방법

Title
고주파유전체자기조성물및그제조방법
Issue Date
1994-09-27
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 고주파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 자기조성물은 유전율(k)이 40미만의 값을 가지며, 첨가물을 산화물 형태로 첨가하기 때문에, 미량 첨가시 정확한 공정제어에 어려움이 많은 문제점이 있었다.이에 본 발명에 의한 고주파 유전체 자기 조성물은 Zn1-XSnxTio4+YTiO2의 유전체 자기조성물을 주성분으로 하며, 이때 상기 X, Y는 몰(mol)비로서 0.1<X<0.4, 0<Y<0.1를 가지도록 하는 것이며, 첨가원소는 물에 녹는 염화니켈(NiCl2) 염화아연(ZnCl), 질산망간(Mn(NO3)2- 4H2O)형태로 첨가하였다.또한 이와같은 고주파 유전체 자기조성물을 산화지르코늄(ZrO2), 산화 주석(SnO2), 산화티탄(TiO2)으로 구성된 주조성물에 첨가원소로 수용성의 염화니켈(NiCl2), 염화아연(ZnCl), 질산망간(Mn(NO3)2- 4H2O)을 첨가하여 혼합후, 1000℃ 내지 1200℃에서 하소 하고, 다시 분쇄하여 성형한 다음 1200℃ 내지 1400℃의 온도의 산소 분위기에서 소성하는 순서로 진행되는 제조방법에 의해 제조함을 특징으로 하고 있다.
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KIST Patent > ETC
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