고주파용유전체자기조성물

Title
고주파용유전체자기조성물
Issue Date
1994-09-09
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 고주파용 유전체 자기조성물에 관한 것으로, 종래의 유전체 자기조성물은 유전율이 40이하이지만, 낮은 유전손실을 갖는 Ba(M+21/3M+52/3)O3(M+2=Mg, Zn, M+5=Ta, Nb)계, Ba2Ti9O20계 및 (Zr, Sn)TiO4계와 유전손실은 비교적 크나 (Qxfo(GHz)<10000) 유전율이 80이상인 BaO-Sm2O3-TiO2계, (Ba, Pb)O-Nd 2O3-TiO2계 및 (Pb, Ca)ZrO3계가 있으며, 일반적으로 유전율이 큰 재료는 유전체 내부의 쌍극자와 결함 등으로 인해 유전손실과 공진주파수의 온도계수가 증가하게 되며, 특히 고주파용 유전체는 우선적으로 공진주파수의 온도계수가 ±10ppm/℃정도로 안정하여야 응용이 가능하게 된다. 본 발명은 10GHz에서 유전율은 30이하이나, 17000이상의 높은 Q값을 갖는 Ba(Zn1/3 Ta2/3)O3와 Ba(Mg1/3 Ta2/3)O3를 WO3와 함께 BaO-4TiO2에 첨가함으로써 마이크로파 유전특성이 개선된 유전체 자기조성물을 얻도록 한 것이다.
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KIST Patent > ETC
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