고유전체커패시터의제조방법

Title
고유전체커패시터의제조방법
Issue Date
1993-12-14
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 실리콘 반도체 기억소자 및 갈륨비소화합물 반도체 소자의 고유전체 커패시터 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 기판전극으로 텅스텐질화막/텅스텐막을 사용하거나 텅스텐막/백금, 텅스텐질화막/백금, 텅스텐질화막/텅스텐막/백금을 사용하고 그 위에 스퍼터링 또는 화학증착법으로 600~700℃에서 1~2시간 동안 BaTiO3, PbTiO3 및 Zr, Ln, Mg, Nb 등이 첨가된 BaTiO3, PbTiO3을 증착하여 고유전체박막을 형성하는 과정으로 이루어진다.본 발명은 종래의 고유전체 캐피시터의 구조에서 기판전극의 재료와 구성을 변화시킴으로서 고유전체 커패시터 물리·전기적 특성을 향상시킨 효과가 있다.
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KIST Patent > ETC
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