갈륨비소단결정성장방법

Title
갈륨비소단결정성장방법
Issue Date
1994-10-01
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 갈륨비소 단결정 성장방법에 관한 것으로, 갈륨비소내에의 인듐원자는 전위생성을 억제하는 불순물로써 잘 알려져 왔으나 인듐의 농도가 액상봉입쵸크랄스키(liquid encapsulated Czochralski)법의 경우 약 5×1019㎝-3 이상의 인듐첨가에 의해 그 효과가 나타난다.그러나 이같은 양의 인듐을 갈륨비소내에 첨가하게 되면 저결함의 특성을 얻을 수는 있지만 급속열처리에 의한 인듐의 외부확산효과가 크기 때문에 전기적, 광학적특성의 변화를 야기시킬 수 있다. 즉, 열처리에 따른 인듐의 외부확산 정도에 따라서 갈륨비소내의 깊은준위 이엘투(EL2)의 농도가 급격하게 변화되므로 기판의 적기적 특성이 열처리과정에 따라서 달라지게 되는 문제점이 있었다.따라서 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 적은 열응력만을 유발시키는 수직온도구배냉각법 또는 축방향자기장을 인가할 수 있는 수직온도구배냉각법으로 갈륨비소 단결정을 성장하고, 등전자수 첨가물인 인듐(In)을 2∼5×1018㎝-3 첨가하여 열처리에 의한 깊은준위 이엘투(EL2)의 농도변화를 최소화 시킴으로서 전기적, 광학적 특성의 안정성을 향상시키도록 하는 갈륨비소 단결정 성장방법을 제공함에 목적이 있다.
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