비이온주입에의한자기정렬다결정실리콘박막트랜지스터의제조방법

Title
비이온주입에의한자기정렬다결정실리콘박막트랜지스터의제조방법
Issue Date
1994-05-12
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 비이온 주입에 의해 자기정렬 다결정 실리콘박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 일반적으로 다결정 실리콘박막 트랜지스터의 게이트, 소스 및 드레인소자를 형성하기 위한 방법으로 이온주입법이 기알려져 있는 바, 이 방법에 의하면 첨가불순물을 활성시키기 위해 고온의 풀림처리공정이 요구되고 대면적의 기판사용이 어려운 결함이 있었다.이에 본 발명에서는 다결정 실리콘박막 트랜지스터의 제조과정중 주입공정을 제거하고 인시츄도우핑된 실리콘을 사용하여 소스 및 드레인을 제조토록 함으로써 고온 풀림처리공정으로 인한 기판 사용제한을 극복함과 동시에 대면적인 실리콘박막 트랜지스터의 제조가 가능토록하고, 아울러 그 제조원가를 획기적으로 절감할 수 있도록 한 것이다.
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KIST Patent > ETC
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