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dc.date.accessioned2015-12-04T08:43:42Z-
dc.date.available2015-12-04T08:43:42Z-
dc.date.issued19930326-
dc.identifier.other1019930004832-
dc.identifier.urihttp://kpat.kipris.or.kr/kpat/biblioa.do?method=biblioFrame&applno=1019930004832en_US
dc.identifier.urihttp://pubs.kist.re.kr/handle/201004/56372-
dc.description.abstract본 발명은 흑연판과 용매금속판을 교대로 적층배열한 후 고압용기중에서 고압, 고온을 가하여 다이아몬도를 합성시키는 방법에서 다이아몬드의 형성밀도 제어가 가능하도록 한 것이다.본 발명은 용매금속판을 이중금속의 중간층과 양 바깥층으로 이루어진 복합 용매금속판으로 구성하고 양 바깥층의 내부에는 통공을 형성하여 다이아몬드의 형성이 이들 통공부위에서만 일어나도록 한 것이다.따라서, 본 발명은 일정 합성조건에서 각 용매금속의 두께와 통공의 크기 및 밀도를 조절하는 것에 의해 합성되어지는 다이아몬드 분립체의 크기와 밀도를 인위적으로 제어하는 것이 가능하다는 이점이 있다.-
dc.languageKO-
dc.publisher한국과학기술연구원-
dc.title다이아몬드합성방법-
dc.typePatent-
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KIST Patent > ETC
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