CBR4개스를이용한반도체패턴측면의에피성장율조절방법

Title
CBR4개스를이용한반도체패턴측면의에피성장율조절방법
Issue Date
1995-10-27
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 CBr4 개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법에 관한 것으로, 패터닝된 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착(MOCVD)법에 의해 에피층을 성장시킬 때 CBr4 개스를 유입시키므로써, 상기 CBr4 유입량에 따라 에피층 패턴의 측면 성장율을 조절할 수 있을 뿐 아니라 이로 인해 소자의 평탄화를 기할 수 있게 된다.
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KIST Patent > ETC
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