질화티탄소결체의제조방법

Title
질화티탄소결체의제조방법
Issue Date
1995-09-23
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 (a) 하기 조성을 갖는 조립 분말을 제공하는 단계TiN-pM2C-qC-rNi-sMec(여기서, p는 5 내지 20 중량%, q는 0 내지 1.5 중량%, r은 15 내지 30 중량%, s는 0 내지 5 중량%이고, 다만 q와 s는 동시에 0 중량%는 아니고, MeC는 VC, WC, TaC 및 NbC 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 탄화물이다.); b) 상기 조립 분말을 가압 성형하는 단계; 및c) 분말 성형체를 소결시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 잔류 기공이 없는 TiN 고용체의 고상 입자와 Ni 고용체 기지(matrix)만으로 구성된 소결체의 제조 방법에 관한 것이다.
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KIST Patent > ETC
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